可控硅開(kāi)關(guān)由電子元器件構(gòu)成,只要接入系統(tǒng)帶電后不可避免地要帶來(lái)有功損耗，這也是與傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)相比的一個(gè)缺點(diǎn)。因此可控硅開(kāi)關(guān)主電路的設(shè)計(jì)上除充分考慮可靠性因素，同時(shí)也應(yīng)考慮如何減低損耗，提高運(yùn)行的經(jīng)濟(jì)性。
（1）可控硅開(kāi)關(guān)的穩(wěn)態(tài)關(guān)斷下的損耗:主要是由流過(guò)靜態(tài)均壓電阻、動(dòng)態(tài)均壓電阻的電流帶來(lái)的，近似計(jì)算公式如下:
其中:V為開(kāi)關(guān)閥的額定電壓，單位為V;
Rd為動(dòng)態(tài)均壓電阻值，單位為歐;
Rp為靜態(tài)均壓電阻值，單位為歐;
Cd為動(dòng)態(tài)均壓容值，單位為F;
V為元件額定耐壓值，單位為V;
1000為元件額定耐壓值下的漏電流，單位為A;
n為可控硅串聯(lián)數(shù);
△P1的單位為千瓦。
(2)可控硅開(kāi)關(guān)的穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通下的損耗:主要是由可控硅元件導(dǎo)通電阻帶來(lái)的，近似計(jì)算公式如下:
其中:Von為可控硅導(dǎo)通壓降電壓，單位為V;
n為可控硅串聯(lián)數(shù);
Ⅰn為額定工作電流，單位為A;
△P2的單位為千瓦。
可控硅開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)損耗主要是由動(dòng)態(tài)均壓電容的充放電在動(dòng)態(tài)均壓電阻上形成的功耗，計(jì)算比較復(fù)雜，通常只有在可控硅開(kāi)關(guān)頻繁動(dòng)作的情況下予以考慮。
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